[发明专利]包括补偿电容器的设备及相关方法、存储器装置和电子系统在审
申请号: | 202010295447.1 | 申请日: | 2020-04-15 |
公开(公告)号: | CN111834367A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 杉岡繁;河北敬三 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请涉及包括补偿电容器的设备及相关方法、存储器装置及电子系统。一种设备,包括彼此间隔开的第一互连线和第二互连线、在所述第一互连线和所述第二互连线上方的层间绝缘材料、在所述层间绝缘材料中并且彼此间隔开的第一触点和第二触点、在所述层间绝缘材料上方并且彼此间隔开的第三互连线和第四互连线、以及在电容器区域中的补偿电容器。所述第三互连线通过所述第一触点与所述第一互连线耦接,并且所述第四互连线通过所述第二触点与所述第二互连线耦接。所述补偿电容器包括所述层间绝缘材料上方的下电极、所述下电极上方的介电材料、以及所述介电材料上方的上电极。所述下电极包括与所述第二触点接触的边缘部分。所述第三互连线在所述介电材料上方伸长,并且被配置为提供伸长部分作为所述补偿电容器的所述上电极。公开了相关方法、存储器装置及电子系统。 | ||
搜索关键词: | 包括 补偿 电容器 设备 相关 方法 存储器 装置 电子 系统 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的