[发明专利]一种降低氧化物电解质晶界阻抗及界面阻抗的方法有效
| 申请号： | 202010297143.9 | 申请日： | 2020-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN111509293B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 孙学良;梁健能;梁剑文;孙乾;王建涛;赵尚骞;张立;黄欢;卢世刚;黄倬 | 申请（专利权）人： | 国联汽车动力电池研究院有限责任公司;西安大略大学 |
| 主分类号： | H01M10/0562 | 分类号： | H01M10/0562;H01M4/131;H01M4/136;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 钱云 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于固态电池材料技术领域，具体涉及一种降低氧化物电解质晶界阻抗及界面阻抗的方法。所述方法在于在氧化物电解质颗粒表面或电极颗粒表面形成卤化物电解质膜。本发明利用卤化物电解质修饰氧化物电解质颗粒的晶粒界面，可有效降低晶界阻抗，从而实现采用室温冷压技术制备氧化物固态电解质片的目的；其中卤化物电解质膜起到粘结颗粒晶界并提供离子导的作用，因此能避免使用高温烧结制备氧化物固态电解质片，所得氧化物‑卤化物复合电解质片具有很高的离子导。同理，利用卤化物电解质修饰电极颗粒，进而修饰活性电极材料与氧化物固态电解质片的界面，使两者紧密接触，有效降低界面阻抗，其所得固态电池可在室温下正常工作、释放出良好的电化学性能的固态电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 氧化物 电解质 阻抗 界面 方法 | ||
【主权项】：
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