[发明专利]具有钕铁硼层的磁存储磁性多层膜在审
| 申请号： | 202010297827.9 | 申请日： | 2020-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111364012A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 王文爽;沈文齐 | 申请（专利权）人： | 蚌埠泰鑫材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/16;H01F1/057;G11C11/16 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 汤文旋 |
| 地址： | 233000 安徽省蚌埠市蚌山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有钕铁硼层的磁存储磁性多层膜，该具有铁钕硼层的磁存储磁性多层膜自下而上依次包括：基片层、第一Ta金属层、第一NdFeB层、第一Pt层、第二NdFeB层、第二Pt层、第三NdFeB层、第三Pt层、第一W层、第一CoFeB层、掺Nd的MnO层、CoFeBNd层、第二W层、第二CoFeB层、掺Nd的MgO层以及第二Ta金属层。本发明的具有钕铁硼层的磁存储磁性多层膜能够适应较高温度，从而能够提升数据记录的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 钕铁硼层 存储 磁性 多层 | ||
【主权项】：
暂无信息
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