[发明专利]具有稀土掺杂层的磁存储复合多层膜在审
| 申请号： | 202010297847.6 | 申请日： | 2020-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111364013A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 王文爽;沈文齐 | 申请（专利权）人： | 蚌埠泰鑫材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/16;H01F41/18;G11C11/16 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 汤文旋 |
| 地址： | 233000 安徽省蚌埠市蚌山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有稀土掺杂层的磁存储复合多层膜，该具有稀土掺杂层的磁存储复合多层膜自下而上依次包括：基片层、晶种层、Co/Pt交叠层、第一非磁性金属层、第二非磁性金属层、CoFeBGd层、第一MgO层、CoFeBY层、第三非磁性金属层、CoFeBNd层、第二MgO层以及第四非磁性金属层。本发明的具有稀土掺杂层的磁存储复合多层膜通过合理掺杂稀土元素和类稀土元素，能够提高膜层材料的各项性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 稀土 掺杂 存储 复合 多层 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于蚌埠泰鑫材料技术有限公司，未经蚌埠泰鑫材料技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010297847.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种全密封二次控制室
- 下一篇：一种台阶清冰装置
- 同类专利
- 专利分类
