[发明专利]原子层刻蚀设备和原子层刻蚀方法有效
| 申请号： | 202010298307.X | 申请日： | 2020-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111463094B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 牛晨;韦刚 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/04 | 分类号： | H01J37/04;H01J37/16;H01J37/305;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种原子层刻蚀设备和原子层刻蚀方法，该设备包括反应腔室、设置在反应腔室顶部的上电极机构和设置在反应腔室中的基座，还包括中间电极机构，该中间电极机构包括电极板组件和与电极板组件电连接的中间射频电源，其中，电极板组件设置在反应腔室中，且位于上电极机构与基座之间，并将反应腔室分隔形成上子腔室和下子腔室；并且，上子腔室具有上进气口，下子腔室具有下进气口；在电极板组件中设置有多个过滤孔，用以将上子腔室和下子腔室相连通，且在上子腔室中的等离子体通过过滤孔时降低等离子体中的离子的能量。本发明提供的原子层刻蚀设备，其不仅可以提高工艺均匀性，而且有助于实现活化气体和刻蚀气体的隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 原子 刻蚀 设备 方法 | ||
【主权项】：
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