[发明专利]半导体填孔真空系统及填孔方法有效
| 申请号： | 202010298699.X | 申请日： | 2020-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111554590B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 宋维聪;周云;睢智峰 | 申请（专利权）人： | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/768;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/40;H01J37/305 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国(上海)自*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体填孔真空系统及填孔方法，真空系统包括：至少一个晶圆传送腔结构、至少一个化学气相沉积腔结构以及至少一个等离子体刻蚀腔结构；化学气相沉积腔结构用于在待处理晶圆上的孔结构中进行介质膜沉积；等离子体刻蚀腔结构用于对经过化学气相沉积腔结构沉积后的待处理晶圆上的孔结构进行刻蚀。本发明设置晶圆传送腔结构、化学气相沉积腔结构、等离子体刻蚀腔结构，将介质膜沉积到待处理晶圆上的孔结构内，并使用通过刻蚀打开孔结构的闭合开口或者缩小的开口，在不破真空的前提下在同一个真空系统内部的不同腔室里通过交替进行介质膜沉积和刻蚀孔结构的开口的方法，实现优化孔结构的侧壁的介质膜填充。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 真空 系统 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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