[发明专利]纳米MOSFET器件的总剂量辐射试验方法、装置和设备有效
| 申请号： | 202010299625.8 | 申请日： | 2020-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111579957B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 何玉娟;高汭;雷志锋;张战刚;彭超 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） |
| 主分类号： | G06F17/18 | 分类号： | G06F17/18 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 黄正奇 |
| 地址： | 511300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种纳米MOSFET器件的总剂量辐射试验方法、装置和设备。其中，纳米MOSFET器件的总剂量辐射试验方法以多个总剂量试验点对同批器件中的多个器件进行总剂量辐射试验，得到各器件的试验数据；对各试验数据进行处理，得到各总剂量试验点的参数标准差和参数均值；根据各总剂量试验点的参数标准差和参数均值，得到各总剂量试验点上的单个器件栅氧化层的缺陷平均个数；根据泊松分布以及各缺陷平均个数，确定同批器件的缺陷分布情况。基于此，可针对存在涨落效应的纳米MOSFET器件进行辐射后离散数据的统计分布分析，确定单个器件栅氧化层中的缺陷平均个数，最终确定同批器件中栅氧化层内部的缺陷分布情况，为同批器件的总剂量辐射评估和考核提供有效数据。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 mosfet 器件 剂量 辐射 试验 方法 装置 设备 | ||
【主权项】：
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