[发明专利]一种半导体结构

摘要

一种半导体结构，包括第一金属层，所述第一金属层内图案化纵向依次排列的第一源漏极区、第一栅极区、第二栅极区、和第二源漏极区，图案化的栅极与源漏极处于同一水平位置，还包括第一绝缘层，第一绝缘层包覆在图案化后的栅极层与源漏极层之上，第一绝缘层还包括通孔，第一绝缘层的通孔包括第一源漏极区上的第一通孔，第二栅极区上的第二通孔，以及第二源漏极区上的第三通孔和第四通孔。上述技术方案通过将栅极金属与源漏极金属合并在同一层，通过在第一金属层中进行图案化布线，以及其上的第二金属层通过通孔、过孔连接第一金属层的栅极和源漏极。从而达到制程中减少光罩数量的效果。