[发明专利]一种碳化硅DSRD的堆叠式压接封装结构有效
| 申请号： | 202010301788.5 | 申请日： | 2020-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111463191B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 梁琳;杨英杰 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/367;H01L23/60 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 尹丽媛;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于器件封装领域，具体涉及一种碳化硅DSRD的堆叠式压接封装结构，包括：多个第一封装片，多个第二封装片，多个碳化硅DSRD芯片，正、负接线元件。每个芯片两侧分别叠放一层第一封装片构成封装子模块；每相邻两个封装子模块间通过第二封装片层叠构成堆叠式压接垂直结构；该垂直结构中每相邻两层间通过压力接触，实现每两个芯片间的首尾电气相连，正、负接线元件分别连接垂直结构正、负端。第一封装片用于避免在芯片工作中因材料间热失配产生热变形；第二封装片起到缓冲作用并用于实现芯片边缘电场的优化调制。本发明采用垂直堆叠压接形式，便于结构安装及失效器件替换，同时避免热形变问题，且实现电场调制，避免局部放电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 dsrd 堆叠 式压接 封装 结构 | ||
【主权项】：
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