[发明专利]复合沟道IGBT器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010302854.0 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN111341843A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周锦程;杨卓;叶鹏;童鑫;徐浩;刘倩 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;涂三民 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种复合沟道IGBT器件，它包括集电极金属、P型集电极区、N型缓冲区、N型外延层、载流子存储层与P型体区；在栅极沟槽的侧壁与底面、P型体区的上表面设有栅极氧化层，在栅极多晶硅上开设有呈间隔设置的块状窗口，在块状窗口内以及栅极多晶硅的上表面设置绝缘介质层，在对应块状窗口位置的绝缘介质层上开设有接触孔，在接触孔的底面设有重掺杂P区，在重掺杂P区的上方以及绝缘介质层的上表面设有发射极金属，发射极金属通过接触柱与重掺杂N型发射区欧姆接触。本发明有效地抑制了短沟道效应，提高器件的短路能力，有效地抑制寄生三极管开启，且制造工艺保留了部分绝缘栅双极型晶体管结构的制造工艺，具有良好的兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 沟道 igbt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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