[发明专利]高压场板的形成方法

摘要

本申请涉及半导体集成电路制造工艺，尤其涉及一种高压场板的形成方法。该方法包括：提供基底层；在基底层上形成栅氧化层；在栅氧化层上依次淀积形成第一介质层和第二介质层；进行光刻，初次定义有源区和终端区；依次刻蚀第二介质层和第一介质层，形成介质层台阶结构，在初次定义的有源区处形成介质层台阶结构的上层台阶；淀积第三介质层，使得第三介质层覆盖介质层台阶结构；刻蚀第三介质层，使得在上层台阶的侧墙底部形成刻蚀补偿结构；利用湿法刻蚀工艺，对介质层台阶结构进行各向同性刻蚀；定义场板区，在场板区中制作场板结构，使得场板结构覆盖在第一介质层的侧壁表面。该方法可以解决相关技术中形成的高压场板结构的问题。