[发明专利]一种电子元器件用铜锆合金及其制备方法有效
| 申请号： | 202010303342.6 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN111411256B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 娄花芬;张曦;向朝建;莫永达;黄东男;王金华;陈忠平;杨春秀;王虎 | 申请（专利权）人： | 中铝材料应用研究院有限公司 |
| 主分类号： | C22C9/00 | 分类号： | C22C9/00;C22C1/03;C22F1/08 |
| 代理公司： | 中国有色金属工业专利中心 11028 | 代理人： | 范威 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子元器件用铜锆合金及其制备方法，合金成分包括：Zr 0.05‑0.4wt％，Mg 0.05‑0.2wt％，Si 0.03‑0.15wt％，稀土0.01‑0.06wt％，余量为Cu及不可避免的杂质元素。本发明还公开了一种该合金的制备方法，包括熔化、合金化、铸造、热轧、粗轧、时效、精轧、去应力退火和成品处理。本发明的铜锆合金在添加Mg、Si和稀土元素的综合作用影响下，同时兼备高强度、高导电性和优异的弯曲加工性，其制备方法易于工程化生产，且成本低，成品带材抗拉强度不小于560MPa、导电率不小于80％IACS，其产品可用于极大规模集成电路及大电流电子元件、散热部件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子元器件 用铜锆 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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