[发明专利]一种低密度高应变点的无碱电子玻璃及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010303869.9 申请日: 2020-04-17
公开(公告)号: CN111484244B 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 卢安贤;刘建磊;刘涛涌 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: C03C3/091 分类号: C03C3/091;C03C1/00;C03C6/04;C03C4/00;C03B19/02
代理公司: 北京惠科金知识产权代理有限公司 11981 代理人: 刘潇
地址: 410083 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 一种低密度高应变点的无碱电子玻璃及其制备方法,玻璃组成摩尔比为3~7%的B2O3、15~19.5%的Al2O3、54~62%的SiO2、0~20%的MgO、0~15%的CaO和0.5~2%的SrO,其中,优选参数为6.5~7%的B2O3、15~17%的Al2O3、61~62%的SiO2、0~12%的MgO、3~15%的CaO、0.5~2%的SrO,外加澄清剂SnO20.2~0.8wt%。本发明产品密度低、应变点高、热膨胀系数适当,密度为2.470~2.622g/cm3,应变点为732~770℃,热膨胀系数为26.18~34.15×10‑7/℃,可满足显示屏对高性能电子玻璃基板的要求。
搜索关键词: 一种 密度 应变 电子 玻璃 及其 制备 方法
【主权项】:
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