[发明专利]电子设备及其制造方法在审
| 申请号： | 202010304158.3 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN112490214A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 金圣贤;徐重源;崔安娜 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/24;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;阮爱青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种包括半导体存储器的电子设备及其制造方法。半导体存储器包括：多个下线，其设置在衬底上方并在第一方向上延伸；以及多个上线，其设置在下线上方并在与第一方向相交的第二方向上延伸；多个存储单元，其设置在下线与上线之间并且与下线和上线的交叉区域重叠地设置；以及气隙，其位于上线之间并且在第二方向上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 电子设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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