[发明专利]具高导热能力的钻石薄膜导电层结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202010304475.5 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN111627873A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 柯文政;廖家钰 | 申请（专利权）人： | 柯文政 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L21/768;H01L29/778;H01L33/64 |
| 代理公司： | 深圳德高智行知识产权代理事务所(普通合伙) 44696 | 代理人： | 孙艳 |
| 地址： | 中国台湾台北市万*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明主要公开一种具高导热能力的钻石薄膜导电层结构，包括半导体磊晶层、形成于半导体磊晶层之上的多个凹型槽孔、以及覆于半导体磊晶层的表面上的散热导电层。在令多个凹型槽孔于半导体磊晶层的表面上具有大于或等于1×105个/cm‑2的槽孔分布密度的情况下，能在半导体磊晶层的表面上成长钻石薄膜以作为散热导电层，且散热导电层包含填入多个凹型槽孔之中的多个槽孔填入部以及覆于半导体磊晶层的表面上的表面覆层。由于散热导电层具有大于或等于200Ω‑1cm‑1的导电率、大于或等于85％的光穿透率、和至少16.6W/m·K的热传导率，因此本发明的具高导热能力的钻石薄膜导电层结构能够取代公知的氮化物发光二极体之中的氧化锌铝、氧化锌镓铟或氧化铟锡等透明导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 导热 能力 钻石 薄膜 导电 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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