[发明专利]恒流电路及半导体装置在审
| 申请号： | 202010304850.6 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN111831049A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 挽地友生;深井健太郎;飞冈孝明;小川洋平 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/24 | 分类号： | G05F3/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;姜冰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种恒流电路，具备漏极与恒流输出端子连接的耗尽型NMOS晶体管和设置在NMOS晶体管与接地端子之间的电阻元件，耗尽型NMOS晶体管由并联连接且以电流方向相差90度的方式配置的耗尽型第一及第二NMOS晶体管构成，电阻元件由以电流方向相差90度的方式配置的第一及第二电阻构成。 | ||
| 搜索关键词： | 流电 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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