[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010305021.X | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN113539824A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 朱建校;倪景华;陈雄斌;宋立军;曾笑梅 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括多个器件单元区以及位于相邻器件单元区之间的隔离区；在基底上形成初始器件栅极结构，初始器件栅极结构横跨多个器件单元区；去除位于隔离区的初始器件栅极结构，在初始器件栅极结构中形成隔离槽，沿初始器件栅极结构的延伸方向，隔离槽将初始器件栅极结构分割成多个器件栅极结构；对隔离槽侧壁露出的器件栅极结构进行缺陷修复处理；在缺陷修复处理后，在隔离槽内形成隔离结构。本发明通过进行缺陷修复处理，以减少器件栅极结构中的缺陷含量，从而提高半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
