[发明专利]液处理装置和液处理方法在审
| 申请号： | 202010305082.6 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN111863658A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 冈泽智树;西山雄太;飞松武志 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/027;G03F7/16;G03F7/30 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种液处理装置和液处理方法，对于利用从喷嘴喷出的处理液进行的液处理的面内均匀性有效。液处理装置具备：处理液供给部，其具有喷出处理液的喷嘴；喷嘴移动部，其使所述喷嘴在用于朝向基板的表面供给所述处理液的涂布位置和与所述涂布位置不同的待机位置之间移动；清洗部，其朝向所述待机位置供给清洗液，以通过所述清洗液对位于所述待机位置的所述喷嘴的顶端面进行清洗；吸引部，其具有朝向位于所述待机位置的所述喷嘴的顶端面开口的吸引口，所述吸引部吸引从位于所述待机位置的所述喷嘴喷出的所述处理液以及通过所述清洗部供给到所述待机位置的所述清洗液；以及控制装置，其控制所述处理液供给部、所述喷嘴移动部、所述吸引部及所述清洗部。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
