[发明专利]图形片及半导体中间产物有效
| 申请号： | 202010306855.2 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN111508929B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 谢秋实;史小平;周清军;李东三;王春;张轶铭 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 施敬勃 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种图形片及半导体中间产物，图形片包括自上而下依次层叠设置的第一掩膜层、第二掩膜层、介质层和衬底层，第一掩膜层为光刻胶层；第一掩膜层具有第一图形孔，第一图形孔沿第一掩膜层的厚度方向贯穿第一掩膜层，第一掩膜层的厚度为d1，第二掩膜层的厚度为d2，介质层的厚度为d4，衬底层与第一掩膜层的选择比为S1，衬底层与第二掩膜层的选择比为S2，介质层与第一掩膜层的选择比为S3，介质层与第二掩膜层的选择比为S4，第二掩膜层与第一掩膜层的选择比为S5；其中，d1·S5＞d2，且d2≥(d1－d4/S3)·S2/S1+d4/S4；或者，d1·S5＝d2，且d2＞(d1－d4/S3)·S2/S1+d4/S4。采用上述技术方案可以在衬底层上形成深度较大的孔，以满足使用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 半导体 中间 产物 | ||
【主权项】：
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