[发明专利]封装芯片电学性能的测试方法有效
| 申请号： | 202010306983.7 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN113539868B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 梅萌;史刚;王培春;李广峰 | 申请（专利权）人： | 澜起电子科技（昆山）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/60;G01R27/02;G01R27/26;G01R31/28 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 吴珊;徐迅 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种封装芯片电学性能测试结构的制作方法、封装芯片电学性能的测试方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；分别在所述第一晶圆和所述第二晶圆上形成顶层金属层；分别在所述第一晶圆和所述第二晶圆的部分所述顶层金属层上形成凸块；去除所述第一晶圆中位于所述凸块下方之外的顶层金属层，完全保留所述第二晶圆中的顶层金属层；分别封装所述第一晶圆和所述第二晶圆形成第一颗粒和第二颗粒，将所述第二颗粒设置于基板上，所述凸块与所述基板连接，所述基板相对于所述第二颗粒的另一侧设置有用于测试的导电结构；采用探针与所述导电结构接触，测试所述第二颗粒的电学性能，所述第二颗粒的电学性能作为所述第一颗粒电学性能的参考。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 芯片 电学 性能 测试 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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