[发明专利]基于LNOI的光波导端面耦合结构及其应用在审

专利信息
申请号: 202010309289.0 申请日: 2020-04-17
公开(公告)号: CN111487715A 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 李金野;刘建国;戴双兴;于文琦 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: G02B6/122 分类号: G02B6/122;G02B6/12
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴梦圆
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种基于LNOI的光波导端面耦合结构及其应用,该光波导端面耦合结构包括衬底;绝缘层,其设置在衬底上;第一波导芯层结构,包括第一波导芯层固定宽度区和第一波导芯层反向楔形区;第二波导芯层结构,包括第二波导芯层固定宽度区和第二波导芯层反向楔形区,其折射率介于第一波导芯层结构和第三波导芯层结构之间,用于将经过第一波导芯层结构的光模场过渡传输到第三波导芯层结构中;以及第三波导芯层结构,包括第三波导芯层固定宽度区。本发明的结构中通过引入折射率介于第一波导芯层和第三波导芯层之间的第二波导芯层,有效增加了第一波导芯层楔形尖端尺寸,降低了小尺寸结构的制备工艺难度。
搜索关键词: 基于 lnoi 波导 端面 耦合 结构 及其 应用
【主权项】:
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