[发明专利]一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路在审
| 申请号： | 202010310992.3 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN111337812A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 王煜 | 申请（专利权）人： | 陕西三海测试技术开发有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R27/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710119 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路，其测试方法包括以下步骤：S101，通过电阻将MOSFET晶圆的漏极加载端和漏极测量端连接；S102，通过测试VTH小电流参数判断N个被测MOSFET颗粒的基本功能正常；S103，测试Rdson，选择功能正常且距离被测颗粒最近的颗粒作为辅助颗粒；S104，将辅助颗粒的栅极驱动为常通状态；S105，将共漏极的测量端连接至辅助颗粒的源极，然后进行Rdson参数测试；本发明还相应的公开了一种MOSFET晶圆临近颗粒测试电路，能够提高对MOSFET晶圆的Rdson参数的测量精度，有效降低了测试误差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 临近 颗粒 测试 方法 及其 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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