[发明专利]多种元胞设计的复合PiN肖特基二极管有效
| 申请号： | 202010311265.9 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN111640782B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 任娜;刘旺;黄治成;李宛曈 | 申请（专利权）人： | 元山（济南）电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 刘德顺 |
| 地址： | 250118 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及多种元胞设计的复合PiN肖特基二极管，包括：第二导电区域，第二导电区域排布有多个元胞；多个元胞中的第一元胞包括第一区域和第二区域，多个元胞中的第二元胞包括第三区域；第一区域与外延层间形成第一PN结，第二区域与外延层间形成第二PN结，第三区域与外延层间形成第三PN结；第三PN结的宽度大于第一PN结和第二PN结的宽度，从而使第三PN结在浪涌大电流的条件下比第一PN结和第二PN结先开启。通过不同尺寸PN结的设计，可以在尽量保持或不影响肖特基二极管正常电流导通模式性能的情况下，更高效的利用器件有源区面积，使浪涌大电流均匀的分散在器件的表面，从而有效的降低因局部过热而造成的器件损坏，提高其稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 多种 设计 复合 pin 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
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