[发明专利]失效位数目计数电路及非易失性半导体储存装置有效
| 申请号： | 202010311415.6 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN112086123B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 中山晶智 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42;G11C29/20;G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 李芳华 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 失效位数目计数电路包含由串行电路构成的数据传送电路，在串行电路中开关组件经串联连接，开关组件经接通以用于来自每一页缓冲器部分的指示通过位的计算结果数据且经断开以用于指示失效位的计算结果数据；控制电路将计数启用信号输入至数据传送电路的输入端子，且依序传送计数启用信号直至下一开关组件对应于具有默认周期的频率而经由串行电路断开为止；且失效位数目计数电路包含频率计数器，在计数启用信号经输入至数据传送电路的一个输入端子之后直至计数启用信号达到数据传送电路的另一输出端子为止的频率的数目通过频率计数器经计数为失效位数目。 | ||
| 搜索关键词： | 失效 数目 计数 电路 非易失性 半导体 储存 装置 | ||
【主权项】：
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