[发明专利]一种复合薄膜结构及其制备方法，及电子元器件有效
| 申请号： | 202010311501.7 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN113534336B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 张秀全;李洋洋;朱厚彬;李真宇;张涛 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/13;G02B6/134;H10B53/00;H03H3/02;H03H3/08 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请提供一种复合薄膜结构及其制备方法，及电子元器件，复合薄膜结构包括衬底层，形成在所述衬底层顶表面上的第一复合隔离层，及形成在所述第一复合隔离层上的至少两个薄膜层；相邻两个薄膜层之间设有第二隔离层；所述第一复合隔离层包括至少两个堆叠的子隔离层；其中，所述薄膜层用于传输信号，所述第一复合隔离层和所述第二隔离层用于防止信号泄露。在衬底层与第一薄膜层之间设置具有至少两个堆叠的子隔离层的第一复合隔离层。相比于现有技术中，只采用单层隔离层的方式，第一复合隔离层能够将第一薄膜层传输的信号隔离，防止信号泄露到衬底层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 薄膜 结构 及其 制备 方法 电子元器件 | ||
【主权项】：
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