[发明专利]半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010311502.1 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN112289773A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 黄则尧;施信益 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一半导体基底、多个第一组导电部件、多个隔离区块、多个第一组支撑柱体以及多个空间，该多个第一组导电部件分开地设置在该半导体基底上方，该多个隔离区块分别地对应设置在相邻对的该多个第一组导电部件之间，该多个第一组支撑柱体分别地对应设置在相邻对的该多个第一组导电部件之间，且分别地对应设置在该多个隔离区块上方，该多个空间分别地对应设置在邻近该多个第一组支撑柱体，且分别地对应设置在该多个隔离区块上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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