[发明专利]一种无背面银电极HIT电池及其制造方法在审
申请号: | 202010311527.1 | 申请日: | 2020-04-20 |
公开(公告)号: | CN111640802A | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 上官泉元;贾云涛;刘宁杰;刘强 | 申请(专利权)人: | 常州比太黑硅科技有限公司;蒙城县比太新能源发展有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/20 |
代理公司: | 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 | 代理人: | 吴倩 |
地址: | 江苏省常州市武进高新技术*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种无背面银电极HIT电池,包括硅片,硅片的正反面均镀有非晶硅层,正面非晶硅层表面镀有一层磷掺杂的N层,在背面非晶硅表面镀有一层硼掺杂的P层,在正面N层及背面P层表面均镀有一层透明导电层,在正面透明导电层表面印刷有银电极,在背面透明导电层表面镀有一层导电性好的金属导电膜层,在背面的金属导电膜层表面焊接有铜焊丝形成背面电极;在透明导电层表面还镀有金属过渡膜层;在金属导电膜层表面还镀有金属保护膜层。本发明结构的无背面电极HIT电池,其不仅极大降低了背面银浆使用成本,且有效提高了HIT电池的正面发电效率,且由于仅仅单面能发电,可以广泛应用在屋顶发电、太阳能瓦、太阳能驱动的电动汽车、飞行器等很多场景。 | ||
搜索关键词: | 一种 背面 电极 hit 电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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