[发明专利]用于晶体生长过程中温度控制的方法和系统有效
| 申请号： | 202010311608.1 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN112080794B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 薛抗美;刘林艳;高海棠 | 申请（专利权）人： | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张培培 |
| 地址： | 221000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于晶体生长过程中温度控制的方法和系统。用于晶体生长过程中温度控制的方法包括：不断调整各个加热器的功率并利用软件进行模拟以计算相应的在固液界面及其邻近处的热场；使热场与移动网格耦合来确定固液界面和总热能二者是否都达到热平衡；存储使固液界面和总热能二者都达到热平衡的各个加热器的功率并基于所述各个加热器的功率来绘制热平衡图；以及在晶体生长过程中从所绘制的热平衡图中选择各个加热器的功率来对固液界面处的温度梯度进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶体生长 过程 温度 控制 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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