[发明专利]一种基于磁场耦合的高性能隔离放大器结构在审
| 申请号： | 202010311735.1 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN111654248A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 黄海滨;蒋赛尖 | 申请（专利权）人： | 无锡思泰迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/42 | 分类号： | H03F1/42;H03F1/08;H03F1/26;H03M3/00 |
| 代理公司： | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人： | 张宁;杨辰 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及隔离放大器技术领域，具体为一种基于磁场耦合的高性能隔离放大器结构，其能够在有限的耦合带宽限制下获得更高性能的信号放大功能，其包括发送端模块、接收端模块、磁耦合器件，所述发送端模块包括前置放大/滤波模块，其特征在于，所述前置放大/滤波模块顺次连接N比特Delta‑Sigma调制器、电流源开关组，所述接收端模块包括顺次布置的放大整形电路、并行/串行转换器、低通滤波器，所述磁耦合器件对应设置N+1个，N为正整数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 磁场 耦合 性能 隔离放大器 结构 | ||
【主权项】：
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