[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010311746.X | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN113540241A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底，所述基底内具有掺杂的漂移区和掺杂的体区，且所述漂移区的导电类型和所述体区的导电类型相反；位于所述基底上的栅极结构，部分所述栅极结构位于所述漂移区上，且部分所述栅极结构位于所述体区上；位于邻近所述栅极结构的部分所述漂移区表面的阻挡层；位于所述基底内或阻挡层内的掺杂层，所述掺杂层位于所述阻挡层和漂移区相接触的界面处，且所述掺杂层内具有修复离子。所述修复离子能够和阻挡层存在的悬挂键结合，有利于提高形成的半导体结构耐高压性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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