[发明专利]一种氢气敏感芯体制备方法及应用在审
| 申请号： | 202010311803.4 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN111351823A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 张浩;丁玎;何峰;曾庆平;周国方 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 廖元宝 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氢气敏感芯体制备方法，包括以下步骤：S01、在硅基底表面形成四个电阻图形；S02、在硅基底表面镀制钯合金薄膜，形成钯合金电阻；S03、在空气中进行高温热处理；S04、在硅基底上形成绝缘层氧化物薄膜图形；S05、镀制绝缘层氧化物薄膜，形成与绝缘层氧化物薄膜图形相匹配的绝缘层氧化物薄膜；S06、在氢气中进行高温热处理；S07、在硅基底表面形成焊盘图形；S08、在硅基底上镀制Au薄膜，形成Au焊盘；四个钯合金电阻通过Au焊盘依次连接形成惠斯通全桥。本发明还公开了一种如上所述制备方法制备得到的氢气敏感芯体。本发明的氢气敏感芯体制备方法及氢气敏感芯体具有稳定性好、精度高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氢气 敏感 体制 方法 应用 | ||
【主权项】：
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