[发明专利]AlGaN基紫外LED外延层及其剥离方法有效
| 申请号： | 202010312549.X | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN111628055B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 徐良;蓝文安;刘建哲;余雅俊;夏建白;李京波;郭炜;叶继春 | 申请（专利权）人： | 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 321000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种AlGaN基紫外LED外延层及其剥离方法，剥离AlGaN基紫外LED外延层的方法包括以下步骤：在蓝宝石衬底上形成有序并间隔排列的多个纳米柱；在所述纳米柱上进行外延生长，形成AlGaN基紫外LED外延层；通过选择性湿法刻蚀，将AlGaN基紫外LED外延层剥离下来。通过在蓝宝石衬底上形成有序并间隔排列的多个纳米柱，再以此纳米柱进行横向选区外延生长，形成AlGaN基紫外LED外延层；由于纳米柱间的连通、不连续的特性，有利于腐蚀溶液渗入，扩展孔洞的大小，将纳米柱顶端平台与平台上外延层腐蚀，进而实现易剥离效果。 | ||
| 搜索关键词： | algan 紫外 led 外延 及其 剥离 方法 | ||
【主权项】：
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