[发明专利]一种二氧化锗粉体的制备方法有效
| 申请号： | 202010312772.4 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN111484069B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 谈发堂;马伟涛 | 申请（专利权）人： | 湖北联合贵稀资源再生科技有限公司 |
| 主分类号： | C01G17/02 | 分类号： | C01G17/02 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 徐云侠 |
| 地址： | 433225 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二氧化锗粉体的制备方法，涉及半导体氧化物制备技术领域。具体包括：将四氯化锗液体均匀地加入温度为0～10℃的高纯水或二次蒸馏水中，搅拌水解反应成悬浊液后，进行固液分离，得到二氧化锗滤饼和含锗母液，再将二氧化锗滤饼干燥、粉碎，得二氧化锗粉体；二氧化锗干燥过程中产生的含锗酸性气体进行二级冷凝回收，酸性含锗废液返回锗提取生产，四氯化锗返回水解生产二氧化锗。本发明摒弃传统四氯化锗水解、多次洗涤、干燥工艺，大大减少了二氧化锗滤饼的洗涤用水，减少了含锗母液的量；且将产生的含锗酸性气体进行分级冷凝回收，减小水解、洗涤、干燥生产二氧化锗过程中因四氯化锗挥发造成锗的损失。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 锗粉体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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