[发明专利]一种半导体存储器老化测试的Workload测试文件编译方法、测试方法及系统有效
| 申请号： | 202010313181.9 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN111552475B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 陈凯;彭骞 | 申请（专利权）人： | 武汉精测电子集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F8/41 | 分类号： | G06F8/41;G06F11/10 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 罗飞 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储器老化测试的Workload测试文件编译方法、测试方法及系统，其中的方法首先输入Workload测试文件；然后对输入的Workload测试文件进行格式识别，其中，Workload测试文件具有多个命令行，命令行用以表示对指定范围内LBA的操作命令，其中LBA表示逻辑块地址；再根据格式识别结果，对输入的Workload测试文件包含的命令行进行解析，生成与命令行对应的二进制数据，所有命令行对应的二进制数据构成Workload测试文件的编译结果。本发明的方法可以提高对Workload测试文件执行效率以及测试效率，以及解决Workload测试文件命令行格式多样性、正确性问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 存储器 老化 测试 workload 文件 编译 方法 系统 | ||
【主权项】：
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