[发明专利]兼容CMOS工艺的体声波谐振器及其制造方法有效
| 申请号： | 202010314202.9 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN111564467B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 吴明;唐兆云;杨清华;赖志国;王家友 | 申请（专利权）人： | 苏州汉天下电子有限公司 |
| 主分类号： | H10N39/00 | 分类号： | H10N39/00;H10N30/87;H10N30/30;H10N30/067 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红;陈轶兰 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种兼容CMOS工艺的体声波谐振器及其制造方法，该谐振器包括：压电膜阵列，包括在衬底与盖帽层之间的多个压电膜，垂直方向上相邻压电膜之间、压电膜与盖帽层之间以及压电膜与衬底之间具有多个第一空腔，水平第一方向上相邻压电膜之间具有共用的第二空腔，水平第二方向上相邻压电膜之间具有共用的第三空腔；多个电极层，至少覆盖每个压电膜的顶面和底面；多个电极互连层，沿第三空腔侧面连接压电膜底面的电极层；驱动晶体管位于盖帽层中，漏极电连接顶部压电膜的顶部电极层；驱动晶体管的源极和漏极上具有欧姆接触层。本发明采用CMOS兼容工艺，并通过离子深注入形成电连接压电膜顶部电极的驱动电路，减小了封装体积，降低了界面电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 兼容 cmos 工艺 声波 谐振器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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