[发明专利]一种共发射极双IEGT并联压接结构在审
申请号: | 202010314993.5 | 申请日: | 2020-04-21 |
公开(公告)号: | CN111430314A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 肖风良;李伟;宋中建;谢文刚;张志成;武可;张公一 | 申请(专利权)人: | 山东泰开高压开关有限公司 |
主分类号: | H01L23/36 | 分类号: | H01L23/36;H01L25/07;H01L29/739;H02M1/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 271000 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 一种共发射极双IEGT并联压接结构,包括第一散热器、第一压接式IEGT、第二散热器、第二压接式IEGT、第三散热器、集电极并联母排、双通道驱动器和安装壳;第一散热器、第一压接式IEGT、第二散热器、第二压接式IEGT、第三散热器、集电极并联母排和双通道驱动器设置在安装壳内。本发明全面考虑了并联功率元件的压接特性、驱动特性以及经济性等方面,很好的解决了并联功率元件发射极附近寄生电感感应电动势对驱动电路的干扰,从而实现了并联功率元件在开断过程中的均流,尤其在关断超大短路电路时优势尤为明显,从而获得了功率元件开断能力的累加效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 发射极 iegt 并联 结构 | ||
【主权项】:
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