[发明专利]一种铁电电容和铁电场效应晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 202010315928.4 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN111554745B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 韩根全;彭悦;刘艳;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/51 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文;魏微 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铁电电容，所述薄膜铁电电容包括顺序叠置的衬底、介质层和上电极，所述介质层包括至少一层不定型氧化物薄膜或者多晶氧化物薄膜。本发明所述铁电电容的介质层采用不定型氧化物薄膜或者多晶氧化物薄膜，不再局限于单晶或者多晶的铁电材料，即使是非晶氧化物薄膜材料也可以实现铁电特性。本发明还公开了所述铁电电容的制备方法。本发明还公开了一种铁电场效应晶体管，本发明所述铁电场效应晶体管栅介质层包括至少一层不定型氧化物薄膜或者多晶氧化物薄膜，使得铁电场效应晶体管的栅介质厚度可以降低至2nm以下，且能保持稳定的铁电场效应晶体管特性，同时极大的降低了栅泄漏电流。本发明还公开了铁电场效应晶体管的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 电场 效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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