[发明专利]高压半导体装置在审
| 申请号： | 202010316243.1 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN113540078A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 林庭佑;庄政新;黄绍璋 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L27/092 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 王震宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 高压半导体装置包括基底、第一绝缘结构、栅极、漏极区域、源极区域以及隔离掺杂区。基底具有第一导电类型，第一绝缘结构设置在基底上。漏极区域设置于基底内且具有第二导电类型。源极区域设置于基底内，其中源极区域具有第一部分以及第二部分，且第一部分具有第二导电类型，第二部分具有第一导电类型。栅极设置在基底上，位在该源极区域与该漏极区域之间且部分覆盖该第一绝缘结构的一侧。隔离掺杂区设置于基底内且包含第一掺杂部分以及第二掺杂部分，第一掺杂部分以及第二掺杂部分具有第一导电类型且相互分隔地设置在第一绝缘结构下方。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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