[发明专利]一种高熵合金组合物、高熵合金薄膜及高熵合金靶材和薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202010316745.4 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN111549301B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 夏原;许亿;李光 | 申请（专利权）人： | 中国科学院力学研究所 |
| 主分类号： | C22C45/00 | 分类号： | C22C45/00;C23C14/14;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种高熵合金组合物、高熵合金薄膜及高熵合金靶材和薄膜的制备方法，组合物包括Al、Cr、Ti、Gd和Zr；薄膜为通过组合物经真空熔炼和磁控溅射制得。本发明的实施方式具有如下优点：1、特定的原料种类之间的协同配合使最终得到的高熵合金薄膜具有优异的耐高温、抗腐蚀和高强度等优异性能；2、利用磁控溅射的方法，将铸态时晶态的AlCrTiGdZr合金转变成非晶态的薄膜，极大的提高了薄膜的致密性，减少了薄膜的缺陷，进一步提高薄膜的性能，使其具有更为广阔的应用前景；3、整个操作过程可以在室温下进行，且无污染排放物生成，使整个制备具有高效清洁的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合金 组合 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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