[发明专利]一种全压ESD结构和实现方法

摘要

本发明公开了一种全压ESD结构，包括用于构成ESD电路的MOS器件，MOS器件包括衬底、在衬底上形成的多晶栅极以及栅极两侧的掺杂源极区和掺杂漏极区；掺杂源极区和掺杂漏极区分别连通有一接触孔；其中所述MOS器件的掺杂漏极区外围与衬底之间增设有轻掺杂结构，或者所述MOS器件的掺杂漏极区与其沟道之间增设有隔离结构或延长区；所述轻掺杂结构为掺杂浓度小于同型衬底或同型掺杂漏极区的掺杂结构层；本发明在保障足够的ESD保护能力的情况下，通过多种方式，对其构成ESD电路的MOS器件进行改进，以能够提升电路端口的工作电压，避免了增加设计成本和工艺加工成本，扩展了ESD结构电压使用范围，满足电路端口电压高于正常器件工作电压的需求，适用范围广。