[发明专利]半导体器件结构、肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010317523.4 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN111430237A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 郝茂盛;袁根如;张楠;陈朋;马艳红 | 申请（专利权）人： | 上海芯元基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/872;H01L29/20;H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 201209 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件结构、肖特基二极管及其制备方法，肖特基二极管的制备方法包括：提供具有凹槽结构的生长基底，生长第一N型氮化镓层及第二N型氮化镓层，剥离生长衬底，形成阴极金属层及阳极金属层。本发明在生长基底上进行侧向外延生长形成第一N型氮化镓层，可以提高氮化镓晶体质量，提高表面平整度，减少晶体缺陷，制作垂直结构的肖特基二极管，有利于承受较大的电流及电压，另外，设置阴阳电极上下平行错开，有利于避免两电极直接对冲击穿芯片，提高氮化镓肖特基二极管的耐压特性与降低其漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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