[发明专利]LED芯片结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010317560.5 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN113540312A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 郝茂盛;张楠;陈朋;袁根如;柳丁亮;马艳红 | 申请（专利权）人： | 上海芯元基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/44;H01L33/36;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201209 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED芯片结构及其制备方法，LED芯片结构包括发光区及漏电防护区，其中，通过位于漏电防护区中的覆盖保护金属层的钝化层，以形成发光区的漏电防护；或通过位于漏电防护区中的钝化层的开口，以显露保护金属层，使发光区的N电极可同时作为漏电防护区的P电极，从而在漏电防护区形成一个与发光区桥接的反向保护二极管，以形成漏电保护电路；从而可有效解决LED芯片结构的漏电问题。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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