[发明专利]一种表面缺陷型F掺杂的g-C3有效

专利信息
申请号: 202010317966.3 申请日: 2020-04-21
公开(公告)号: CN111604076B 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 白小娟;孙博轩;卢雄威;李海燕;王旭煜;谭朝洪 申请(专利权)人: 北京建筑大学
主分类号: B01J27/24 分类号: B01J27/24;B01J37/34;C02F1/30;C02F101/34;C02F101/36;C02F101/38
代理公司: 北京驰纳智财知识产权代理事务所(普通合伙) 11367 代理人: 陈常美
地址: 100044*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种新型微波法制备F掺杂的g‑C3N4光催化材料及其应用。采用热聚合法制备本体g‑C3N4材料,使用微波消解仪在介质中对本体g‑C3N4进行微波刻蚀,使其表面形成氮空位。本发明的F掺杂g‑C3N4材料将F原子引入氮空位,与C原子形成C‑F键,导致电子分布不均从而形成表面极化场,降低其表面的空穴电子复合率,增强光催化剂活性。本发明的材料对双氯芬酸钠、苯酚和双酚A的降解率分别为100%、55%和65%,均优于本体g‑C3N4。本发明工艺简单,适合于工业化大批量生产,并且将光催化降解技术应用于降解PPCPs领域具有很高的应用前景和实用价值。
搜索关键词: 一种 表面 缺陷 掺杂 base sub
【主权项】:
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