[发明专利]GaN-金刚石-Si半导体结构、器件及制备方法有效
| 申请号： | 202010319861.1 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN111223927B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 马飞;冯光建;程明芳 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L23/373;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明提供一种GaN‑金刚石‑Si半导体结构、器件及制备方法，在键合工艺前，通过较厚的Al |
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| 搜索关键词： | gan 金刚石 si 半导体 结构 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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