[发明专利]一种D-D中子管靶膜保护层

摘要

本发明涉及一种D‑D中子管靶膜保护层，包括以下步骤：第一，制备氘代乙炔，选用碳化钙与重水反应制取氘代乙炔。第二，制备氘气，采取电解重水制取氘气，所用的电解池为石英玻璃制作的，电极为铂金制作。第三，制备氘代聚乙烯，选择催化剂催化氘代乙炔加氘气反应，使反应停留在生产氘代乙烯的阶段。加入引发剂，使氘代乙烯发生聚合反应生产氘代聚乙烯。第四，制备氘代聚乙烯靶膜，用溶液蒸发法制备氘代聚乙烯靶膜。第五，使用真空蒸镀技术为氘代聚乙烯靶膜镀氮化硼保护层，厚度为0.25μm。本发明通过选择合适的中子管靶膜保护层材料，即氮化硼，有效的解决了氘代聚乙烯靶中子产额高，但寿命短的问题。