[发明专利]同位素温差电池气路接口一次密封及二次密封保护的方法有效
申请号: | 202010320332.3 | 申请日: | 2020-04-22 |
公开(公告)号: | CN111524637B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 侯旭峰;任保国;陈媛媛;阎勇;刘锐 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
主分类号: | G21H1/00 | 分类号: | G21H1/00;B23P15/00 |
代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人: | 张倩 |
地址: | 300384 天津市滨海*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种同位素温差电池气路接口一次密封及二次密封保护的方法,包括:制造气氛处置接口和保护帽;将气氛处置接口与电池壳端盖螺接定位并进行密封连接;利用超声波高频振荡原理结合特选薄壁铝合金材料,采用超声波封口机对气氛处置接口进行密封焊接,完成气路接口的一次密封;二次密封保护帽,使暴露在电池壳端盖外的气氛处置接口管体和焊口全部伸入保护帽内腔中,采用氩弧焊方式在保护帽台阶坡口环缝位置焊接密封保护帽,完成二次密封保护。本发明有效地提高了同位素温差电池的接口密封成品率和密封性、增强了薄壁接口安全性、缩短了接口密封操作时间,有效保障了同位素温差电池安全性和可靠性、在轨服役寿命、以及操作人员辐射安全性。 | ||
搜索关键词: | 同位素 温差 电池 接口 一次 密封 二次 保护 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十八研究所,未经中国电子科技集团公司第十八研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010320332.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种二维晶体的生长方法
- 下一篇:低频磁场测量方法、装置、电子设备及存储介质