[发明专利]金属-绝缘层-金属结构在审
| 申请号： | 202010321739.8 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN112242376A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 杨世海;黄彦杰;游佳达 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;付文川 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例关于半导体装置与其形成方法，更特别关于半导体结构中单位面积的电容增加的三维金属‑绝缘层‑金属电容器结构。金属‑绝缘层‑金属结构包括基板；氧化物层形成于基板上；以及第一金属层形成于氧化物层上。第一金属层包括多个芯形成于第一金属层的表面上。金属‑绝缘层‑金属结构亦包括介电层形成于第一金属层与芯上；第二金属层形成于介电层上；以及一或多个内连线结构，电性连接至第一金属层与第二金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘 金属结构 | ||
【主权项】：
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