[发明专利]一种带隙基准电路有效
| 申请号： | 202010322080.8 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN111427410B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 王颀;陈腾;刘飞;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种带隙基准电路，包括核心电路、第一补偿电路和第二补偿电路，核心电路用于产生带隙参考电压，第一补偿电路用于利用MOS管在亚阈值区的温度特性产生第一补偿电流，以对带隙参考电压进行第一补偿，第二补偿电路用于利用两个双极型晶体管的BE结电压之差的特性产生第二补偿电流，以对带隙参考电压进行第二补偿，这样经过第一补偿电流和第二补偿电流，可以从不同角度对带隙参考电压进行补偿，从而有效补偿带隙参考电压中的高阶温度系数，使补偿后得到的带隙基准电压具有高温度范围、低温度系数、高精度的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基准 电路 | ||
【主权项】：
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