[发明专利]一种预测SiC单晶炉内整体温度场的方法及设备有效
| 申请号： | 202010322263.X | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN111695287B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 舒天宇;王雅儒 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/27 | 分类号： | G06F30/27;G06N3/0464;G06N3/0455;G06N3/048;G06N3/08;C30B23/00;C30B29/36;G06F119/08 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 董延丽 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种预测SiC单晶炉内整体温度场的方法及设备，解决了无法实现对SiC单晶炉内温度场进行实时精确的测量的技术问题。方法包括：基于模拟仿真软件对SiC单晶炉内的测温孔温度场及整体温度场进行仿真，得到训练数据集；通过训练数据集，对神经网络模型进行训练，得到SiC单晶炉内整体温度场的预测神经网络模型；获取SiC单晶炉内的测温孔温度场；将测温孔温度场输入至温度场预测神经网络模型中，对SiC单晶炉内整体温度场进行实时预测。本申请通过上述方法实现了对SiC单晶炉内整体温度场的实时预测，相较于传统的人为经验预测，提高了温度预测的准确度，可以精确调节及控制SiC单晶炉的坩埚内的温度及分布。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 预测 sic 单晶炉内 整体 温度场 方法 设备 | ||
【主权项】：
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