[发明专利]一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010322541.1 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN111591952A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 高程武;张大成;杨芳;程垒健;余润泽;李凤阳;刘鹏 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81B7/02;B81C1/00;G01L1/22;G01L9/04 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理有限公司 11200 | 代理人： | 俞达成 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，属于微电子机械系统传感器设计领域，该传感器主要包括一玻璃底座和位于玻璃底座上的硅应变膜，该玻璃底座的一面含有一凹陷空腔，该硅应变膜的正面朝向该空腔；该硅应变膜包括位于正面的绝缘介质层和该绝缘介质层覆盖的硅衬底；该硅应变膜的正面的边缘均布有四个带有凹槽的半岛结构；每个半岛结构的外边缘设有位于硅衬底上的一组压敏电阻、一组重掺杂接触区和一对金属引线，压敏电阻与重掺杂接触区串接，两端由金属引线从重掺杂接触区引出，四组压敏电阻形成惠斯通电桥。其与典型结构的压力传感器相比，具有高灵敏度、高线性度、芯片尺寸小的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 压阻式 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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